التفاصيل الفنية

• الجهد الكهربائي NAND Gate
• عزم الدوران - برغي -40°C ~ 125°C
• القطر - الداخلي 2V ~ 6V
• التيار - انحياز الإدخال (الأقصى) 5.2mA, 5.2mA
• نسبة نقل التيار (الحد الأقصى) 8
• قوة غاوس 1.5V ~ 4.2V
• القطر - البرميل 0.5V ~ 1.8V
• العرض - من الداخل 22ns @ 6V, 50pF
• 1
• 2 µA